光伏检测与分析-011

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一 、单选题

1. 用冷热探笔法测量（ ）半导体时，冷端带正电，热端带负电。

P型

N型

PN型

以上皆不是

答案：A
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2. 用冷热探笔法测量导电类型时，热探笔的温度要适当，以（ ）为宜。

30～50℃

40～60℃

50～70℃

60～80℃

答案：B
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3. 气相色谱法测定干法H2的组分岗位存在的环境因素是（ ）。

液氮低温冻伤

潜在氢气泄露引起的爆炸

温度过高

没有明显危险源

答案：B
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4. 气相色谱法测定干法H2的组分岗位存在的环境因素是（ ）。

液氮低温冻伤

潜在氢气泄露引起的爆炸

温度过高

没有明显危险源

答案：B
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5. 光图定向法结果直观，操作（ ），误差（ ）。

简单 较大

复杂 较大

简单 较小

复杂 较小

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6. 晶面指数最低的晶面总是具有（ ）的晶面间距。

最小

相等

最大

无法判断

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7. 直拉单晶中氧含量头部与尾部相比（ ）。

较高

相同

较低

无法判断

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8. 以下表示晶面指数最恰当的是（ ）。

（664）

（463）

（333）

（246）

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9. 三氯氢硅中痕量磷的气相色谱法的基本原则是（ ）法。

自然挥发法

基于时间的差别进行分离

过滤

化学分离

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10. 露点法测定气体中的水分时，本岗位存在的危险源是（ ）。

液氮低温冻伤

潜在氢气泄露引起的爆炸

温度过高

没有明显危险源

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11. 当RO系统暂停使用一周以上时，系统应以（ ）浸泡，防止细菌在膜表面繁殖。

5%盐酸

1.0%浓度的亚硫酸氢纳

4%氢氧化钠

1%富尔马林溶液

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12. 树脂失效表明离子交换树脂可供交换的（ ）大为减少。

CL-

Na

H+和OH-

Ca

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13. 超纯水是电阻率达到（ ）左右的水。

16

17

18

19

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14. 对三氯氢硅中痕量杂质的分析采用蒸发法使用微量高纯水和SiHCL3作用产生少量（ ）水解物，对痕量杂质元素有吸附作用。

SiO2

SiH

HCL

Si

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15. 直拉单晶中氧含量头部与尾部相比（ ）。

较高

相同

较低

无法判断

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16. （ ）是影响硅器件的成品率的一个重要因素，也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。

点缺陷

线缺陷

面缺陷

微缺陷

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17. 露点法测定气体中的水分时，本岗位存在的危险源是（ ）。

液氮低温冻伤

潜在氢气泄露引起的爆炸

温度过高

没有明显危险源

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18. 放射线同位素的量越多，放出的γ射线的强度（ ）。

越小

不变

越大

随机变化

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19. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。

±10'

±15'

±20'

±30'

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20. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。

±10'

±15'

±20'

±30'

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二 、多选题

1. 影响半导体单晶电化学腐蚀速度的因素主要有（ ）。

腐蚀液的成分

电极电位

缓冲剂的影响

腐蚀处理的温度和搅拌的影响

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2. 四探针法测量电阻率的测准条件主要有（ ）。

样品的厚度必须大于3倍针距

一般采用1～2mm左右的针距较适宜

四根探针应处于同一平面的同一条直线上

电流通过样品不应引起样品的电导率发生变化

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3. 自动软化系统出现下述情况之一（ ）就必须进行化学清洗。

装置的纯水量比初期投运时或上一次清洗后降低5%-10%

装置的单次的浓缩比比初期投运时或上一次清洗后降低10%-20%时

装置各段的压力差值为初期投运时或上一次清洗后的1-2倍

装置需要长期停运时用保护溶液保护前

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4. 硅单晶光点定向测试中运用的仪器设备有以下（ ）。

光点定向仪

光源

光屏

X光

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5. 质谱分析造成其误差较高的因素有（ ）。

杂质在样品中的不均匀分布

元素本身的性质、样品中元素的选择及离子源火花条件对电离效率的影响

离子质量影响用谱线黑度来反映强度

主元素谱线的干扰

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三 、问答题

1. 简述离子交换法制备纯水交换、再生过程。

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2. 简述用分析法对三氯氢硅中痕量杂质的化学光谱测定的方法原理。

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3. 高频光电导衰退法测量非平衡少数载流子寿命的基本原理是什么？

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四 、配伍题

1. 将下列RO膜污染原因与适应药液一一对应。

1.5%EDTA溶液

碳酸盐结垢

1%富尔马林溶液

有机物污染及硫酸盐结构

3%柠檬酸溶液

细菌污染

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2. 将下列活性炭过滤器工作原理一一对应。

向下穿过过滤料层，经下布水器收集返回中心管。

反洗

原水由进水口进入控制阀，从阀芯的上部经阀体内，并由顶部进入罐体

运行

正洗

水从底部进入活性炭过滤层后由上部排出

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3. 将下列半导体晶体缺陷类型一一对应。

杂质沉淀

宏观缺陷

微观缺陷

星形结构

加工损伤

表面机械损伤

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4. 红外线通过样品时可根据能量不灭定律表示为I0=IR+IK+IT ，请将以下变量物理意义一一对应。

R

透射率

吸收率

K

反射率

T

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5. 将下列硅的腐蚀剂与腐蚀时间一一对应。

Sirtl腐蚀液

10～15min

20 min以上

Dash腐蚀液

1～16h

Secco腐蚀液

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